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FAMES试点产线的研发进展：400°C CMOS突破为3D集成目标打开关键大门
CEA-Leti
半导体
科研
positive
FAMES 试点产线在研发上取得进展，团队实现了可在 400°C 条件下工作的 CMOS 工艺突破，这为后续 3D 集成目标打开了关键通道。该成果涉及相关产业链中的芯片制造企业与研发团队，意味着未来可在更高温度约束下推进更复杂的三维堆叠与异构集成，从而提升芯片性能与集成密度。
FAMES试点生产线推出FAMES学院，旨在培训欧洲芯片工程师，使其掌握利用FD-SOI技术并使用先进平台设计电路的技能
CEA-Leti
半导体
科研
positive
FAMES Pilot Line 启动了 FAMES Academy，旨在培训欧洲芯片工程师掌握 FD-SOI 技术，并使用先进平台进行电路设计。该项目由欧洲半导体产业相关机构推动，重点提升工程师在先进制程与设计方法上的能力，以支持欧洲芯片生态和技术自主性。此举有望加速 FD-SOI 在工业与研发中
CEA-Leti与CEZAMAT-WUT通过签署谅解备忘录巩固战略合作伙伴关系
CEA-Leti
半导体
科研
positive
2026年3月19日，法国CEA-Leti与波兰华沙理工大学CEZAMAT-WUT在华沙签署谅解备忘录，旨在深化双方在FD-SOI技术和半导体领域的合作。该合作获得了法国与波兰政府高层代表的共同支持，将聚焦辐射抗性元件研发、知识共享与人才培养，以增强欧洲技术主权。此次合作亦与欧洲芯片法案框架下的FA