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该文章报道了2026年6月8日至9日在法国格勒诺布尔MINATEC举办的干法刻蚀与等离子体加工研讨会,重点围绕半导体、MEMS及新兴应用的干刻蚀、等离子体工艺与相关挑战,并安排了多场主题报告与海报,包括GeTe等离子体刻蚀用于RF开关、基于SOI/SiN的先进光子平台、GeSe-GeTe与GeSe-

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