Infineon renforce sa collaboration avec Nvidia pour développer des convertisseurs de bus intermédiaire (IBC) haute tension à base de nitrure de gallium (GaN), destinés aux centres de données d’IA en 800 VDC. Objectif : accroître le rendement énergétique et la densité de puissance tout en réduisant l’encombrement et les contraintes thermiques. Un accord de plus […]

Cet article Infineon et Nvidia parient sur le GaN 800 V pour les datacenters d’IA a été publié par VIPress.net.