超级结MDmesh

Superjunction MDmesh

STMicroelectronics Newsroom Original
摘要
英飞凌推出新一代Superjunction MDmesh MOSFET产品,采用先进的沟槽技术,显著提升功率密度和能效,适用于服务器、数据中心及可再生能源等高压应用场景。

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Summary
STMicroelectronics has launched its new Superjunction MDmesh K6 series of 950V power MOSFETs, designed to enhance energy efficiency and power density in applications like industrial power supplies, EV charging, and solar inverters. The technology reduces switching losses and electromagnetic interference, helping manufacturers meet stricter energy regulations while improving system performance.

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Résumé
STMicroelectronics annonce le lancement de sa nouvelle génération de transistors MOSFET en technologie Superjunction, les MDmesh M9 et M10, conçus pour améliorer l'efficacité énergétique dans les applications de puissance comme les chargeurs et les alimentations. Ces composants, destinés aux marchés de l'électronique grand public et industriel, offrent une réduction significative des pertes de conduction et de commutation. Cette innovation renforce la position de STMicroelectronics dans le secteur des semi-conducteurs de puissance et répond à la demande croissante d'équipements plus économes en énergie.

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AI Insight
Core Point

意法半导体推出新一代Superjunction MDmesh功率MOSFET,提升能效和功率密度,应对数据中心和汽车电气化需求。

Key Players

意法半导体 — 全球半导体制造商,总部瑞士日内瓦。

Industry Impact
  • ICT: High — 提升数据中心电源效率
  • 能源: Medium — 优化功率转换系统
  • 汽车: High — 支持电动汽车和48V系统
Tracking

Strongly track — 关键功率半导体技术,直接影响数据中心和电动汽车两大高增长市场。

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半导体
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2026-04-22 21:53
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