三星电子已开始向市场交付首批12层堆叠的HBM4E内存样品，这也是业界首款如此规格的HBM4E产品。该内存专为新一代人工智能基础设施设计，单引脚速率可达16 Gbit/s，单堆栈容量最高支持48 GB，同时在性能与能效方面均实现显著提升。这一动作标志着三星在高带宽存储器赛道上抢先卡位，为后续大规模量产与应用铺路。
三星推出其首批HBM4E内存样品
Samsung lance ses premiers échantillons de mémoires HBM4E
摘要
三星电子已开始交付首批12层HBM4E内存样品，专为新一代AI基础设施设计，单颗容量达48GB，传输速率16Gbit/s，性能和能效均有显著提升。此举巩固了三星在高带宽内存市场的领先地位，将推动下一代AI加速器的数据处理能力。
三星电子已开始交付首批12层HBM4E内存样品，专为新一代AI基础设施设计，单颗容量达48GB，传输速率16Gbit/s，性能和能效均有显著提升。此举巩固了三星在高带宽内存市场的领先地位，将推动下一代AI加速器的数据处理能力。
Summary
Samsung Electronics has started shipping the market’s first 12-layer HBM4E memory samples, designed for next-generation AI infrastructure. The new memory delivers up to 48 GB capacity and 16 Gbps data rates, with notable gains in both performance and energy efficiency.
Samsung Electronics has started shipping the market’s first 12-layer HBM4E memory samples, designed for next-generation AI infrastructure. The new memory delivers up to 48 GB capacity and 16 Gbps data rates, with notable gains in both performance and energy efficiency.
Samsung has started shipping the first market samples of its 12-layer HBM4E memory, targeting next-generation AI infrastructure. The modules deliver per-pin data rates up to 16 Gbit/s and stack to 48 GB capacity, with significant improvements in both performance and power efficiency. Initial deliveries are now underway to early partners.
Résumé
Samsung Electronics livre les premiers échantillons de mémoires HBM4E à 12 couches, une première sur le marché. Destinée aux infrastructures d’IA de nouvelle génération, cette mémoire atteint des débits de 16 Gbit/s et une capacité de 48 Go, avec des gains notables en performance et en efficacité énergétique.
Samsung Electronics livre les premiers échantillons de mémoires HBM4E à 12 couches, une première sur le marché. Destinée aux infrastructures d’IA de nouvelle génération, cette mémoire atteint des débits de 16 Gbit/s et une capacité de 48 Go, avec des gains notables en performance et en efficacité énergétique.
Le Coréen a commencé à livrer les premiers échantillons de mémoires HBM4E à 12 couches du marché. Conçue pour les infrastructures d’IA de nouvelle génération, cette mémoire offre des débits jusqu’à 16 Gbit/s et une capacité atteignant 48 Go, avec des gains notables en performance et en efficacité énergétique. Samsung Electronics débute les livraisons à […]
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2026-06-11 19:51
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