CEA 与 Soitec 宣布启动新的合作区域，以加强双方在半导体材料与技术方面的联合研发。该合作由法国原子能与替代能源委员会（CEA）和晶圆材料公司 Soitec 推动，旨在加速创新并提升相关产业链的技术竞争力。

Soitec 与 CEA-Leti 宣布合作，利用 FD-SOI 技术提升汽车网络安全，重点面向车载电子系统中对安全与可靠性要求更高的应用。双方将结合 Soitec 的半导体材料能力与 CEA-Leti 的研发实力，推动更适合汽车场景的低功耗、高安全芯片方案落地。此举有望增强汽车电子的抗攻击能力，并加速安全车载半导体技术的商业化。

CEA-Leti 与 Soitec 宣布建立战略合作，计划利用 FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）技术提升集成电路的安全性。双方将结合 CEA-Leti 的研发能力与 Soitec 的硅片材料优势，重点面向更安全的芯片设计与制造。此举有望增强半导体在汽车、物联网和边缘计算等领域的防护能力，并推动安全芯片技术的商业化落地。

在 INPI 2025 法国专利申请榜单中，格勒诺布尔阿尔卑斯大学（UGA）、Soitec、Verkor 和 Araymond 跻身法国领先的专利申请者之列，显示出法国在科研与工业创新上的持续投入。UGA 代表学术研发实力，Soitec、Verkor 和 Araymond 则分别体现了半导体、储能电池和工业零部件等关键技术领域的创新活跃度，对法国本土技术竞争力和产业升级具有重要影响。

在BEYOND5项目框架下，法国CEA-Leti研究所的研究人员成功开发出基于SOI（绝缘体上硅）技术的低能耗射频功率模块，该创新成果在2025年IEEE RFIC会议上获奖。该项目由Soitec公司协调，联合了欧洲10个国家的37家产学研机构，旨在利用SOI技术提升射频通信（尤其是车联网）的功率输出、线性度和能效。研发的可重构前端模块在5-7GHz频段实现了性能优化与能耗降低，其卓越表现获得了工

法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-Leti）与半导体材料企业Soitec近日在其洁净室内设立了专属合作区域，旨在深化双方长期合作关系并加速Soitec的研发进程。该区域将配备约30台专用设备和30名专职人员，重点推进氮化镓（GaN）和磷化铟（InP）两类III-V族半导体材料的试验线研发。此次合作延续了双方自1992年以来的创新传统，并通过定制化生产管理系统优化研发流程，以提升技术转化