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Tech Breakthrough
Les diodes de protection ESD s’adaptent aux interfaces à plus de 10 Gbit/s
罗姆半导体（ROHM）宣布推出RESDxVx系列ESD静电放电保护二极管，突破此前限制：可在不损伤高速信号的前提下保护超过10Gbps的通信接口。该技术“解锁”了大带宽通信的ESD防护瓶颈，预计将提升高速互连的可靠性与设计灵活性，减少对信号完整性的妥协。
Tech Breakthrough
Rohm lance des Mosfet SiC plus efficaces à haute température
日本罗姆半导体公司宣布开发出第五代碳化硅MOSFET，其高温导通电阻较前代降低约30%，有助于提升电动汽车和能源基础设施的能效。