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2026 VLSI SYMPOSIUM
法国CEA-Leti将在2026年IEEE VLSI研讨会上展示三项成果：一篇关于工程化3D HZO铁电电容器以将嵌入式FeRAM缩至22nm的论文，以及神经技术和用于硅量子比特控制的低温CMOS电路两个报告。这些进展由CEA-Leti团队推动，有望在先进存储、神经形态计算和量子计算领域产生重大技术影响。