法国CEA-Leti研究所研发出新型量子级联激光器（QCL）技术，通过将III-V族材料与硅光子平台异质集成，实现了中红外波段的高性能激光器制造。这项突破由Badhise Ben Bakir等研究人员主导，有望大幅降低光学传感器成本，推动慢性病持续监测等医疗应用走向日常化。该技术采用硅基微电子工艺，为紧凑型高性能传感器的规模化生产奠定了基础。

法国CEA-Leti研究所的研究团队在SPIE Photonics West展会上展示了量子级联激光器（QCL）与硅基光子平台集成的重要进展。通过将III-V族材料异质集成到硅晶圆上，团队开发出可扩展的中红外微型激光传感器平台，有望用于非侵入式生物标记监测等医疗领域。该项目由Badhise Ben Bakir等多名工程师主导，其技术突破为紧凑型光学传感器的规模化应用铺平了道路。