英飞凌在美国获得对英诺赛科(Innoscience)氮化镓(GaN)元器件的禁令

Infineon obtient l’interdiction des composants GaN d’Innoscience aux États-Unis

VIPress.net by Pascal Coutance 2026-05-11 08:17 Original
摘要
美国国际贸易委员会(ITC)在氮化镓专利纠纷中裁定英飞凌胜诉,下令禁止英诺赛科(Innoscience)的相关侵权产品进口和在美销售。该裁决确认了2025年12月的初裁结果,将阻断英诺赛科进入美国市场,有助于巩固英飞凌在氮化镓功率半导体领域的主导地位。

美国国际贸易委员会(ITC)近日在氮化镓(GaN)专利诉讼中作出最终裁决,确认了2025年12月的初裁结果,判定英飞凌(Infineon)胜诉。据此,ITC对美国市场发布排除令,禁止Innoscience(英诺赛科)进口与销售侵犯英飞凌相关专利的GaN功率器件。

该禁令直接切断了Innoscience涉诉产品进入美国供应链的可能,涉及的GaN器件广泛应用于快充、数据中心电源、电动汽车等领域。英飞凌在声明中强调此举有助于维护其多年研发投入,而Innoscience尚未公开回应。在美国严苛的337调查框架下,此案凸显了宽禁带半导体领域专利竞争的激化,也对正在布局美国市场的中国GaN企业形成显著风险。由于ITC禁令为最终裁定,除非美国总统在60天内因公共政策原因否决,该排除令将即时生效。

Summary
The U.S. International Trade Commission (ITC) has upheld Infineon’s patent claims, ordering a ban on the import and sale of Innoscience’s gallium nitride (GaN) components in the U.S. market. This final ruling, confirming an initial December 2025 decision, effectively blocks Innoscience’s GaN products from the American market. The decision solidifies Infineon’s competitive position in the GaN power semiconductor sector.

The U.S. International Trade Commission (ITC) has ruled in favor of Infineon Technologies in a patent dispute involving gallium nitride (GaN) power semiconductors, ordering a ban on the importation and sale of infringing components made by Chinese manufacturer Innoscience in the American market. The final decision, confirming a preliminary ruling from December 2025, stems from Infineon’s allegations that Innoscience unlawfully used its patented GaN technology.

While the specific patent numbers and product lines were not enumerated in the ruling’s immediate announcement, the prohibition effectively blocks Innoscience from supplying a range of GaN-based transistors, integrated circuits, and related devices to U.S. customers. This enforcement action under Section 337 of the Tariff Act highlights intensifying intellectual property battles in the fast-growing GaN chip sector, where Infineon holds significant foundational patents. Innoscience now faces the possibility of a permanent exclusion order, forcing it to either design around the patents, seek a license, or abandon the U.S. market for those components.

Résumé
La Commission du commerce international des États-Unis (ITC) a donné raison à Infineon et ordonné l’interdiction d’importation et de vente des composants GaN d’Innoscience sur le marché américain pour violation de brevets liés au nitrure de gallium. Cette décision, confirmant le jugement initial de décembre 2025, bloque l’accès d’Innoscience aux États-Unis et renforce la position d’Infineon sur le marché des semi-conducteurs de puissance.

La Commission du commerce international des États-Unis a donné raison à Infineon dans un litige sur des brevets liés au nitrure de gallium. L’ITC ordonne l’interdiction d’importation et de vente des produits concernés d’Innoscience sur le marché américain. La Commission du commerce international des États-Unis (ITC) a confirmé sa décision initiale rendue en décembre 2025 […]

Cet article Infineon obtient l’interdiction des composants GaN d’Innoscience aux États-Unis a été publié par VIPress.net.

AI Insight
Core Point

英飞凌在美国赢得氮化镓(GaN)专利诉讼,ITC下令禁止英诺赛科相关产品进口与销售,此举将重塑美国GaN半导体供应链竞争格局。

Key Players
  • 英飞凌(Infineon) — 德国半导体制造商,专注功率系统和物联网等领域,总部位于慕尼黑。
  • 英诺赛科(Innoscience) — 中国氮化镓功率半导体公司,提供高效GaN器件,总部位于苏州。
Industry Impact
  • ICT: 高 — 数据中心和通信电源管理中的GaN器件供应可能受限。
  • 终端/消费电子: 高 — 快速充电器和适配器等产品的核心材料面临短缺风险。
  • 能源: 中 — 影响太阳能逆变器等高效电源转换应用的器件选型。
  • 计算/AI: 中 — AI服务器电源的GaN方案或转向替代供应商,推高成本。
  • 汽车: 低 — 电动汽车车载充电器用GaN尚处早期导入阶段,短期影响有限。
Tracking

[强烈追踪] — 该禁令可能引发中国反制,并加速全球GaN专利战与供应链重组。

Highlights
Investment / Funding
Related Companies
neutral
Infineon
mature
positive
negative
Categories
半导体 网络安全
AI Processing
2026-05-11 20:21
deepseek / deepseek-v4-pro