英国剑桥GaN器件公司(Cambridge GaN Devices,CGD)与荷兰恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布启动长期技术合作,共同开发完整的氮化镓(GaN)系统解决方案,目标是推动GaN技术在数据中心和汽车市场的规模应用。
此次合作将融合CGD在GaN功率IC领域的核心技术优势与NXP在系统级设计、高压应用及生态整合方面的深厚积累。双方计划打造涵盖芯片、驱动、控制及保护电路的完整GaN参考平台,从千瓦级数据中心电源到车载充电与DC/DC转换器,全面提升功率密度与能效,同时降低系统成本。
在数据中心领域,GaN凭借高频开关和低损耗特性,有望替代传统硅器件,显著降低电源单元的散热需求与体积,契合AI算力爆发对供电密度的严苛要求;在汽车领域,高压GaN器件可帮助整车厂简化车载充电拓扑结构,缩短充电时间并延长续航。
此举标志着GaN产业链从离散器件竞争转向系统级生态协同。CGD首席执行官表示,与NXP的绑定将使GaN技术真正跨越从样品到量产的鸿沟,而NXP则看中CGD在温控、可靠性及短路耐受方面已通过车规验证的差异化技术。分析认为,这一合作将加速GaN在高端电源与汽车核心供电中的渗透,并对碳化硅(SiC)在部分场景的独占地位形成直接挑战。