Raspberry Pi, sitting on years of DDR2 stock, has kept its promise not to raise prices on older-generation boards—a pledge that would likely have been broken without that buffer. The global RAM shortage has now reached DDR2: TrendForce reports that OEMs and ODMs paid 55–60% more for DDR2 between Q1 and Q2 2026, and the firm expects another 35–40% jump in Q3 as supply tightens.

The root cause is the industry’s pivot to high-bandwidth memory (HBM) for AI infrastructure. Major manufacturers have de-emphasized DDR4 and DDR5 production, pushing demand onto DDR3 and subsequently DDR2—still widely used in network gear, embedded systems, and industrial computing. Some speculative stockpiling may be accelerating the cycle. The squeeze could deepen as mobile HBM emerges: Samsung is developing packaging for smartphones, while Huawei and Xiaomi are exploring HBM-inspired low-latency DRAM for foldable devices, which handle heat better. Meanwhile, SanDisk’s High-Bandwidth Flash (HBF) applies an HBM-like architecture to NAND, and AMD has acquired MEXT, a predictive tiering specialist that optimizes NAND-plus-RAM usage.

Ayant « des années de stock » en DDR2, Raspberry Pi garantit que les prix de ses cartes d’anciennes générations n’augmenteront pas.

L’entreprise avait pris cet engagement en début d’année. Jusque-là, elle a tenu promesse. Il n’en aurait probablement pas été de même sans ce stock. La pénurie de RAM a effectivement ruisselé jusqu’à la DDR2. D’un trimestre à l’autre (Q1 à Q2 2026), les OEM/ODM ont dû débourser 55 à 60 % de plus pour en acquérir, d’après TrendForce.

Le cabinet taïwanais estime que la tendance se poursuivra au Q3 (+ 35 à + 40 %). D’autant plus que l’offre se réduit, les fabricants préférant concentrer la production sur des générations ultérieures de DRAM, dont ils tirent davantage de marge.

Les principaux fournisseurs se sont réorientés sur la HBM, mémoire à large bande passante dont se nourrissent les infrastructures IA. Délaissant ainsi la DDR4 et la DDR5, ils ont « mécaniquement » engendré un report de la demande sur la DDR3. La DDR2 fut logiquement l’étape suivante… pour les machines la prenant en charge (équipements réseau, systèmes embarqués, informatique industrielle…). Un cycle potentiellement accéléré par des acteurs conservant leur stock dans une perspective spéculative.

La HBM mobile, autre élément potentiellement perturbateur

Le recentrage sur la production de HBM est susceptible de s’accentuer avec l’arrivée de ce type de mémoire sur les appareils mobiles. Samsung développerait une technologie de packaging adaptée à ces terminaux. Du côté de Huawei et Xiaomi, on plancherait sur de la DRAM basse latence « inspirée » de la HBM ; avec, en ligne de mire, les smartphones pliants, plus adaptés que les formats classiques en matière de dissipation thermique.

Du côté de SanDisk, on travaille sur de la HBF (High-Bandwidth Flash), qui consiste à appliquer à la NAND une architecture similaire à celle de la HBM. Dans ce domaine, on aura noté qu’AMD s’est emparé de MEXT. Cette société américaine est à l’origine d’une technologie de tiering prédictif qui maximise l’usage de la NAND en combinaison avec la RAM.

Illustration générée par IA

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