在BEYOND5项目框架下，法国CEA-Leti研究所的研究人员成功开发出基于SOI（绝缘体上硅）技术的低能耗射频功率模块，该创新成果在2025年IEEE RFIC会议上获奖。该项目由Soitec公司协调，联合了欧洲10个国家的37家产学研机构，旨在利用SOI技术提升射频通信（尤其是车联网）的功率输出、线性度和能效。研发的可重构前端模块在5-7GHz频段实现了性能优化与能耗降低，其卓越表现获得了工

法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-Leti）与半导体材料企业Soitec近日在其洁净室内设立了专属合作区域，旨在深化双方长期合作关系并加速Soitec的研发进程。该区域将配备约30台专用设备和30名专职人员，重点推进氮化镓（GaN）和磷化铟（InP）两类III-V族半导体材料的试验线研发。此次合作延续了双方自1992年以来的创新传统，并通过定制化生产管理系统优化研发流程，以提升技术转化

法国研究机构CEA-Leti在2025年通过"从实验室到市场"战略取得显著成果，重点推进半导体、传感器、量子技术等领域的创新，并与学术界及工业界伙伴（包括初创企业和行业巨头）深化合作，强化了欧洲半导体生态系统竞争力。其技术转化加速为多个行业提供了实际应用解决方案。

在2026年IRPS国际可靠性物理研讨会上，CEA-Leti将发布7篇论文，并参与另外2个项目，研究覆盖器件物理、工艺集成、RF、FD-SOI、GaN、BEOL可靠性及低温3D顺序集成等方向。论文与STMicroelectronics、明尼苏达大学等合作，重点展示了基于物理建模和先进表征的早期可靠性评估方法，可为功放、汽车/航天GaN器件、3D图像传感器和先进FD-SOI/GAA/CFET设计提供

法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-Leti）与初创公司NcodiN合作，宣布启动硅基光子平台的产业化进程。该合作旨在将实验室技术转化为可大规模生产的解决方案，推动光子集成电路在通信和计算等领域的商业应用。

CEA-Leti与初创公司NcodiN宣布合作，推进300毫米硅光子技术的产业化，目标是满足AI互连对超高带宽和低功耗的需求。双方将结合CEA-Leti在半导体工艺与集成方面的能力，以及NcodiN在光互连方案上的技术，面向数据中心和AI基础设施市场加速产品落地。此举有望提升芯片间和系统间通信效率，缓解AI算力扩张带来的互连瓶颈。

法国原子能与替代能源委员会（CEA）展示了首个可动态路由的电光路由器，面向光子中介层（photonic interposers）应用，这一成果标志着光互连在芯片封装中的关键进展。该技术可在电信号与光信号之间实现更灵活、高效的切换与传输，有望提升高性能计算和数据中心芯片间通信的带宽与能效。

CEA-Leti 验证了首款芯片级超高速、可电池供电的电子顺磁共振（EPR）光谱仪，这一成果标志着EPR设备正向更小型化、便携化方向迈进。该项目由 CEA-Leti 推动，核心突破在于将原本通常体积较大、功耗较高的分析仪器缩小到芯片尺度，并实现电池供电运行。此技术有望降低EPR在科研和工业检测中的使用门槛，推动其在现场检测、便携式分析和嵌入式传感等场景的应用。

施耐德电气与法国原子能与替代能源委员会（CEA）宣布续签双方共建的网络安全联合实验室，继续围绕工业系统与关键基础设施的安全防护开展研究。该合作将由双方专家团队推进，重点提升工业数字化环境中的威胁检测、系统韧性和安全设计能力，预计有助于增强法国及相关行业的工业网络安全水平。

CEA 与 Soitec 宣布启动新的合作区域，以加强双方在半导体材料与技术方面的联合研发。该合作由法国原子能与替代能源委员会（CEA）和晶圆材料公司 Soitec 推动，旨在加速创新并提升相关产业链的技术竞争力。

CEA-Leti在2025年展示了多项半导体与微电子创新，重点覆盖先进封装、低功耗芯片、传感器和量子/光子技术等方向，体现其在法国和欧洲深科技研发中的核心地位。该机构联合多家产业与科研伙伴推进成果转化，相关项目由其团队及合作企业共同推动，目标是提升芯片性能、降低能耗并加速新一代电子产品落地。

Lam Research 与法国 CEA-Leti 宣布扩大研发合作，重点推进面向先进半导体制造的特殊工艺技术开发。双方将围绕关键设备与工艺创新展开更深入协作，参与方包括 Lam Research 和 CEA-Leti，目标是提升相关制造能力并加速新技术落地，对半导体产业链的技术升级具有推动作用。

CEA-Leti 展示了一种将 MicroLED 与有机光电探测器结合的显示集成光学传感架构，可在同一面板上同时实现显示与感知功能。该技术由法国 CEA-Leti 研发，旨在提升屏幕内传感能力，减少额外摄像头或传感器组件，为智能设备的人机交互、环境感知和低功耗集成显示带来新的应用潜力。

法国CEA-Leti与加拿大C2MI宣布加强合作，聚焦先进半导体技术，旨在推动法加两国在芯片研发、制造与产业化方面的协同创新。双方将联合推进关键技术开发，涉及相关企业与研究人员的跨国合作，以提升在先进半导体领域的竞争力和供应链韧性。

CEA-Leti 宣布在硅集成量子级联激光器（QCL）方面取得进展，面向中红外光子学应用，目标是把这类通常依赖 III-V 材料的激光器更紧密地集成到硅平台上。该项目由 CEA-Leti 推动，重点提升中红外光源在芯片级系统中的可制造性与集成度。此举有望推动气体传感、环境监测和工业检测等领域的中红外光子器件发展。

CEA-Leti 与意法半导体（STMicroelectronics）合作，推出了一套可穿戴连续汗液监测系统，旨在用于健康与 wellness 领域的生理数据采集。该系统结合了双方在微电子与传感技术方面的能力，可持续追踪汗液中的关键指标，为个性化健康管理、运动监测和早期异常预警提供新的技术路径。

CEA-Leti 与意法半导体（STMicroelectronics）在 IEDM 2025 上展示了一项关于“全单片硅射频前端”的论文，提出了将射频前端器件更紧密集成到单一硅平台上的技术路径。该成果由 CEA-Leti 和 STMicroelectronics 联合完成，重点在于提升射频系统的集成度、缩小体积并降低制造复杂度。若该方案进一步成熟，可能推动未来移动通信和无线设备射频模块向更高性能、

CEA-Leti 将启动一项多方合作计划，利用 MicroLED 数据链路加速 AI 计算与通信发展，重点提升芯片间高速互连能力。该项目由 CEA-Leti 牵头，预计联合产业和研究伙伴共同推进，相关技术有望降低数据传输瓶颈、提升能效，并推动下一代 AI 硬件架构落地。

Soitec 与 CEA-Leti 宣布合作，利用 FD-SOI 技术提升汽车网络安全，重点面向车载电子系统中对安全与可靠性要求更高的应用。双方将结合 Soitec 的半导体材料能力与 CEA-Leti 的研发实力，推动更适合汽车场景的低功耗、高安全芯片方案落地。此举有望增强汽车电子的抗攻击能力，并加速安全车载半导体技术的商业化。

由法国 CEA-Leti 领衔的团队开发出首个混合存储器技术，可在芯片上同时支持 AI 的学习与推理，标志着边缘 AI 硬件的重要突破。该成果涉及法国科研机构与合作伙伴，核心在于将存储与计算更紧密结合，以降低功耗、减少延迟并提升本地智能处理能力。