欧洲半导体技术论坛FIRST by FMD将于2026年9月30日至10月1日在柏林举行，汇聚弗劳恩霍夫、英特尔、格芯、西门子医疗及德国联邦教研部等产业与政府代表。会议将讨论后摩尔时代的芯片技术与市场趋势及APECS先进封装试产线，旨在推动异构集成和芯粒架构发展。该论坛聚焦半导体在人工智能、汽车、医疗等领域应用，旨在加强欧洲竞争力和技术主权。

美国《芯片法案》同时向IBM和格芯拨款近14亿美元，用于在美建设首批量子芯片专用工厂，强化本土量子计算硬件制造能力。此举标志着美国在量子芯片领域正式发起产业进攻，力图减少对外依赖并争夺全球技术主导权。

半导体：法国提供补贴却缺乏战略方向

Semi-conducteurs : la France subventionne mais sans boussole stratégique

法国审计法院报告指出，2018-2025年间法国为微电子行业规划了87亿欧元公共援助，已支付50亿欧元，但国家缺乏清晰的芯片战略路线图。尽管拥有STMicroelectronics等企业和CEA-Leti研究中心，法国在先进芯片领域仍依赖国际合作，且关键项目Liberty因合作伙伴GlobalFoundries未动工面临产能目标下调。报告批评援助发放缓慢、评估机制缺失，可能导致公共资金投入与提升产

美国芯片制造商GlobalFoundries对以色列同行Tower Semiconductor提起专利侵权诉讼，指控其未经授权使用11项专利技术。GF要求美国禁止进口和销售涉事产品，并寻求经济赔偿。此次法律行动可能影响双方在美国市场的业务运营及半导体行业的技术竞争格局。

欧洲芯片技能学院（ECSA）将于3月31日举办线上研讨会，联合全球半导体企业格芯（GlobalFoundries），通过虚拟现实技术展示其德累斯顿工厂的实景。活动旨在让参与者了解半导体行业的工作环境、所需技能及职业机会，并提供与行业专家直接交流的环节。

法国CEA-Leti与格芯宣布继续深化合作，格芯作为终端用户加入欧盟资助的FAMES试点线，共同推进下一代全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术研发。双方二十余年的协作已孵化出格芯22FDX平台等成果，新项目将聚焦器件增强、应变硅衬底及射频、存内计算等方向，服务5G/6G、边缘AI和航天等高可靠应用。此举强化了欧洲在低功耗、自主半导体领域的产业竞争力和技术主权。

法国CEA-Leti与美国晶圆代工厂GlobalFoundries重申长期合作，GlobalFoundries作为终端用户参与欧洲FAMES试点线，共同推进全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）技术研发，旨在提升能效并强化欧洲半导体主权。双方二十余年的合作已催生GF的22FDX平台，并通过FAMES探索下一代器件增强与应变硅衬底创新，以扩展FD-SOI在汽车、边缘AI、5G/6G射频及医疗穿戴等领域的

法国CEA-Leti与美国晶圆代工厂GlobalFoundries重申长期合作，GlobalFoundries作为终端用户参与欧洲FAMES试点线，共同推进全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）技术研发，旨在提升能效并强化欧洲半导体主权。双方二十余年的合作已催生GF的22FDX平台，并通过FAMES探索下一代器件增强与应变硅衬底创新，以扩展FD-SOI在汽车、边缘AI、5G/6G射频及医疗穿戴等领域的

克罗莱斯MegaFab：意法半导体声称已承诺投入其80%的投资

MegaFab de Crolles : STMicroelectronics affirme avoir engagé 80% de ses investissements

由法意半导体公司意法半导体与美国格芯联合推动的“自由”项目，于2022年由法国总统马克龙宣布，旨在将法国芯片产能提升一倍，目前正受到法国审计法院的审查。