Lam Research 与法国 CEA-Leti 宣布扩大研发合作，重点推进面向先进半导体制造的特殊工艺技术开发。双方将围绕关键设备与工艺创新展开更深入协作，参与方包括 Lam Research 和 CEA-Leti，目标是提升相关制造能力并加速新技术落地，对半导体产业链的技术升级具有推动作用。

CEA-Leti在2025年展示了多项半导体与微电子创新，重点覆盖先进封装、低功耗芯片、传感器和量子/光子技术等方向，体现其在法国和欧洲深科技研发中的核心地位。该机构联合多家产业与科研伙伴推进成果转化，相关项目由其团队及合作企业共同推动，目标是提升芯片性能、降低能耗并加速新一代电子产品落地。

CEA 与 Soitec 宣布启动新的合作区域，以加强双方在半导体材料与技术方面的联合研发。该合作由法国原子能与替代能源委员会（CEA）和晶圆材料公司 Soitec 推动，旨在加速创新并提升相关产业链的技术竞争力。

施耐德电气与法国原子能与替代能源委员会（CEA）宣布续签双方共建的网络安全联合实验室，继续围绕工业系统与关键基础设施的安全防护开展研究。该合作将由双方专家团队推进，重点提升工业数字化环境中的威胁检测、系统韧性和安全设计能力，预计有助于增强法国及相关行业的工业网络安全水平。

CEA-Leti 验证了首款芯片级超高速、可电池供电的电子顺磁共振（EPR）光谱仪，这一成果标志着EPR设备正向更小型化、便携化方向迈进。该项目由 CEA-Leti 推动，核心突破在于将原本通常体积较大、功耗较高的分析仪器缩小到芯片尺度，并实现电池供电运行。此技术有望降低EPR在科研和工业检测中的使用门槛，推动其在现场检测、便携式分析和嵌入式传感等场景的应用。

法国原子能与替代能源委员会（CEA）展示了首个可动态路由的电光路由器，面向光子中介层（photonic interposers）应用，这一成果标志着光互连在芯片封装中的关键进展。该技术可在电信号与光信号之间实现更灵活、高效的切换与传输，有望提升高性能计算和数据中心芯片间通信的带宽与能效。

CEA-Leti与初创公司NcodiN宣布合作，推进300毫米硅光子技术的产业化，目标是满足AI互连对超高带宽和低功耗的需求。双方将结合CEA-Leti在半导体工艺与集成方面的能力，以及NcodiN在光互连方案上的技术，面向数据中心和AI基础设施市场加速产品落地。此举有望提升芯片间和系统间通信效率，缓解AI算力扩张带来的互连瓶颈。

在2026年IRPS国际可靠性物理研讨会上，CEA-Leti将发布7篇论文，并参与另外2个项目，研究覆盖器件物理、工艺集成、RF、FD-SOI、GaN、BEOL可靠性及低温3D顺序集成等方向。论文与STMicroelectronics、明尼苏达大学等合作，重点展示了基于物理建模和先进表征的早期可靠性评估方法，可为功放、汽车/航天GaN器件、3D图像传感器和先进FD-SOI/GAA/CFET设计提供

乔治·阿尔·霍耶克（Georges Al Hoyek）凭借题为“面向明日微电子的新材料”的论文，获得了 UCPSS 最佳学生论文奖。该成果聚焦微电子新材料研发，体现了学术界在推动下一代电子器件材料创新方面的进展，并可能对未来芯片性能与制造工艺产生影响。

法国啤酒品牌Ninkasi的联合创始人Christophe Fargier公开表示，公司目前"既未濒临倒闭也未陷入危机"，旨在澄清外界对其经营状况的猜测。他强调企业运营正常，否认了关于财务困境的传闻。

法国德龙省商业奖颁奖，Chabeuil地区的Vinothentik和La Pleine Lune两家公司获奖。该奖项旨在表彰当地企业的商业成就和创新表现，体现了对本土商业发展的支持与鼓励。