法国CEA-Leti在2026年VLSI研讨会上宣布，利用三维电容器架构成功将铁电RAM（FeRAM）微缩至22纳米节点，存储单元密度达到先进10纳米SRAM的水平，且断电不丢失数据。这一突破消除了FeRAM长期面临的密度瓶颈，未来可直接嵌入处理器实现低功耗边缘AI本地运算，大幅降低对云端的能耗依赖，项目获得欧盟“芯片联合计划”及法国“2030投资计划”资助。

法国CEA-Leti在2026年VLSI会议上展示了基于3D垂直结构电容器的22纳米铁电存储器（FeRAM）突破，其单元密度媲美10纳米SRAM且具备非易失性，打破了长期阻碍FeRAM竞争易失性存储的密度瓶颈。该技术消除了唤醒效应，有望将高能效AI推理直接嵌入端侧处理器，减少云端数据传输能耗，并适用于高性能计算、航空航天及物联网平台。

法国CEA-Leti与格芯宣布继续深化合作，格芯作为终端用户加入欧盟资助的FAMES试点线，共同推进下一代全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术研发。双方二十余年的协作已孵化出格芯22FDX平台等成果，新项目将聚焦器件增强、应变硅衬底及射频、存内计算等方向，服务5G/6G、边缘AI和航天等高可靠应用。此举强化了欧洲在低功耗、自主半导体领域的产业竞争力和技术主权。

法国CEA-Leti与美国晶圆代工厂GlobalFoundries重申长期合作，GlobalFoundries作为终端用户参与欧洲FAMES试点线，共同推进全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）技术研发，旨在提升能效并强化欧洲半导体主权。双方二十余年的合作已催生GF的22FDX平台，并通过FAMES探索下一代器件增强与应变硅衬底创新，以扩展FD-SOI在汽车、边缘AI、5G/6G射频及医疗穿戴等领域的

米其林与法国IMT Mines Albi学院的聚合物材料研究所（IMP）共同成立PolMixLab实验室，聚焦研发下一代高性能与可回收弹性体。该合作旨在通过创新材料回收与设计技术，推动轮胎产业向可持续发展转型。

CEA-Leti 推出 LUMIK 技术，允许外部合作伙伴通过多项目晶圆（MPW）共享成本的方式，快速原型开发高性能光机械传感器。感兴趣的各方须在 2026 年 11 月 20 日前通过其商业伙伴 CIME-P 提交设计，该技术将推动便携生物传感器和高精度原子力显微镜等应用的发展。

法国格勒诺布尔大学医院与以色列霍隆理工学院合作开展BipoNIRS研究，博士生Inès Tahir在Mircea Polosan教授指导下，利用EEG与fNIRS双模态脑成像结合AI模型，识别双相情感障碍生物标志物，实现I型与II型患者及健康对照的高精度分类（最高达92%）。该成果证实了紧凑型便携系统的临床实用性，有望推动双相障碍的早期辅助诊断。

CEA-Leti 通过旗下 LUMIK 平台提供光机械传感器多项目晶圆（MPW）原型服务，合作伙伴可于 2026 年 11 月 20 日前通过其商业伙伴 CIME-P 提交设计，以分摊成本的方式获取专属芯片。该技术结合 MEMS 与硅光子，性能远超传统传感器，CEA-Leti 与 CEA、CNRS 合作推进其在生物传感器和原子力显微镜等领域的应用。这一服务将加速高灵敏度、便携式传感设备的商业开发与

由CEA-Leti、Fraunhofer/FMD和imec牵头，联合15家欧洲研究与技术组织启动RESOLVE倡议，旨在开发下一代高能效半导体及电子组件系统。该项目设定2032年前将电子系统能效提升千倍等目标，以加强欧洲在AI、量子技术等领域的战略自主权。预期将为数据中心、汽车、国防等关键行业创造条件，加速从研发到产业化进程并稳固欧洲技术主权。

CEA-Leti在ECTC 2026上宣布，成功展示了间距低至1微米的芯片到晶圆（D2W）混合键合功能测试载具，该技术通过缩短互连路径大幅提升数据传输速度并降低功耗，旨在解决高性能计算和AI加速器的互连密度瓶颈。该研究在FAMES试点线和法国2030倡议下的NextGen项目框架内进行，由CEA-Leti主导，并得到IRT Nanoelec的支持。这一突破为集成高密度硅通孔（HD TSV）和氧化层

Larbi Boukhezar（来自RMS团队）完成博士论文答辩，课题聚焦于利用先进BiCMOS工艺开发D波段无源电路与功率放大器，作为下一代高频通信系统的关键前端模块。该项研究有望推动D波段（110-170 GHz）在6G和感知应用中的集成度与性能突破，其技术影响涉及更高数据速率和小型化射频前端设计。

2025年3月，法国CEA在France 2030框架下启动4000万欧元的AUDACE研究计划，其下属CEA-Leti主导的BrainSync项目将基于WIMAGINE®脑机接口技术，开发针对中风后上肢运动障碍的神经康复疗法。CEA-Leti已联合格勒诺布尔及圣艾蒂安大学医院申请临床试验，并同时获得欧盟EIC Horizon Europe资助，该技术此前已实现四肢截瘫患者控制外骨骼、截瘫患者恢复

法国CEA在法国2030计划下资助4000万欧元启动AUDACE研究项目，CEA-Leti团队参与BrainSync子项目，利用已有世界首创成果的WIMAGINE®脑机接口技术开发中风后上肢康复疗法，并与格勒诺布尔及圣艾蒂安大学医院联合申请临床试验，通过实时耦合运动意图与感觉反馈促进神经可塑性，该项目同时获欧盟EIC资助。

CEA-Leti 的博士生 Sandra Kozuch 因开发出用于氮化镓（GaN）微 LED 的无损侧壁刻蚀先进工艺，在美国真空学会（AVS）会议上荣获最佳学生演讲奖。她提出的 CH₄/H₂/Ar 等离子体化学刻蚀机制，能有效降低像素侧壁损伤，对提升微型化显示器效率至关重要。该研究正与设备商 Lam Research 合作，目标应用于增强现实显示、高性能计算与数据中心光纤通信。

CEA-Leti 博士生 Sandra Kozuch 在 AVS 会议上凭借氮化镓（GaN）像素侧壁无损刻蚀工艺获奖，她与设备商 Lam Research 合作开发了一种控制聚合物层沉积的 CH₄/H₂/Ar 等离子刻蚀新机制。这项技术可改善微型发光二极管（micro-LED）的电光效率，对增强现实显示和高性能数据中心的光纤通信应用具有重要商业价值。

CEA-Leti 发布了其在健康领域的微纳米技术及医学成像方面的最新进展。该机构重点展示了用于医疗诊断和监测的微型化传感器与成像系统。这些创新有望提升疾病早期检测精度并推动个性化医疗发展。

CEA-Leti在ECTC 2026上宣布，成功演示了间距低至1微米的芯片到晶圆（D2W）混合键合功能测试载体，为高性能计算、智能视觉和AI的3D集成带来突破。该技术可大幅提升AI加速器的互连密度与带宽，缩短数据路径以降低功耗，但1微米间距的良率仍受现有键合工具对位精度限制。研究在欧盟FAMES试点线和法国2030计划NextGen项目框架下进行，后续将集成高密度硅通孔（HD TSV）和氧化层通孔

法国研究人员因风险规避及财务知识不足，导致创业意愿较低，这一现象可能影响技术创新成果的商业化转化与经济效益。

RMS团队的塔雷克·布扎尔（Tarek Bouzar）完成论文答辩，研究内容是为在硅晶圆上进行精密微波测量而设计微型高频探针。该成果聚焦于高频测量硬件的结构与性能优化，预计将提升半导体器件测试的测量精度与效率。

Valentin Isaac-Chassande（隶属于MADMAX团队）完成了博士论文答辩，题目为“面向稀疏数据处理的内存系统设计”。该研究针对稀疏数据特性优化存储架构，有望提升人工智能与图计算等领域的处理效率。