法国初创公司iNGage开发出高性能多轴惯性MEMS导航传感器，其集成三组陀螺仪和加速度计，灵敏度比现有消费级产品高十倍，可在无GPS信号时实现高速行驶一分钟定位误差仅50厘米。该公司凭借此项创新技术赢得了法国Bpifrance的i-Lab 2024竞赛，并于2025年被法国汽车工业协会PFA选入其

法国研究机构CEA-Leti将于2026年5月在美国洛杉矶展示其高性能MicroLED技术，该技术旨在推动下一代显示器和数据中心光通信的发展。此外，CEA-Leti还将在同年6月于法国和台湾举办多场半导体行业峰会，重点介绍其在半导体可靠性、先进封装及AI硬件架构等领域的最新成果。

2026年3月19日，法国CEA-Leti与波兰华沙理工大学CEZAMAT-WUT在华沙签署合作备忘录，双方将围绕FD-SOI技术和抗辐射元件等半导体领域深化合作。此次合作得到波兰数字事务部及法国驻波兰大使馆等官方机构支持，旨在利用CEZAMAT的4000平方米洁净室等设施，共同推进欧洲在航天、国防

Diamfab 与格勒诺布尔大学、法国国家科研中心及格勒诺布尔国立理工学院共同创建联合实验室 DiamLab，并与意法半导体及法国原子能委员会组成联盟，以加速其用于功率电子的合成钻石技术研发。此举将强化 Diamfab 在宽禁带半导体领域的创新地位，推动钻石基电子元件的产业化进程。

法国半导体研究机构 Leti 宣布推出一项新的技术/合作进展，重点面向先进芯片与微电子应用，旨在提升相关器件的性能、能效或制造能力。该消息涉及 Leti 及其产业合作伙伴/研究团队，显示出欧洲在半导体研发上的持续投入，并可能对下一代芯片、传感器或系统级集成带来商业化推动。

法国CEA-Leti和CEA-List研究所与台湾力积电（PSMC）达成战略合作，将结合RISC-V处理器设计与硅光技术，为AI系统开发高带宽、低功耗的3D集成解决方案。此举旨在突破传统芯片互连的物理限制，应对半导体行业在能效与计算架构方面的挑战。

法国CEA-Leti和CEA-List研究所与台湾力积电（PSMC）达成战略合作，将结合RISC-V处理器架构与硅光技术，为下一代AI系统开发高带宽、高能效的3D堆叠解决方案。此举旨在突破传统铜互连的物理极限，应对半导体行业在功耗和可扩展架构方面的挑战。

施耐德电气与法国原子能和替代能源委员会（CEA）决定将双方已合作六年的联合实验室再延长三年。此次续约旨在持续应对工业设备从设计到使用全生命周期的网络安全挑战，双方将聚焦后量子密码、嵌入式AI安全等前沿领域，并继续利用CEA在硬件安全评估方面的专业能力与施耐德在安全编码方面的经验。此前该实验室已开发出

法国CEA-Leti与LTM实验室联合培养的博士生Georges Al Hoyek，因研究磷化铟表面功能化以提升其在微电子器件中的集成度，在国际UCPSS会议上荣获最佳学生论文奖。他的研究通过优化湿法清洗工艺，在氮气环境下有效去除磷化铟表面氧化物，为硅光子学和先进微电子集成提供了关键技术突破。这项工

欧洲导弹系统公司（MBDA）与法国原子能和替代能源委员会（CEA）深化战略合作，通过多年期协议共同研发导弹系统关键技术。双方重点开发包括高分辨率光电系统在内的主权技术，以突破美国《国际武器贸易条例》（ITAR）限制，并推动军事技术向民用领域转化。这一合作得到法国及欧盟支持，旨在巩固欧洲防务自主权并加

法国CEA-Leti研究所的研究团队在SPIE Photonics West展会上展示了量子级联激光器（QCL）与硅基光子平台集成的重要进展。通过将III-V族材料异质集成到硅晶圆上，团队开发出可扩展的中红外微型激光传感器平台，有望用于非侵入式生物标记监测等医疗领域。该项目由Badhise Ben

LETI（法国原子能和替代能源委员会下属的电子与信息技术实验室）发布了其最新的新闻稿列表，内容涵盖技术创新、机构动态及行业合作。这些公告主要涉及半导体、纳米技术和量子计算等前沿领域，展示了LETI在推动欧洲科技研发方面的核心作用。相关动态对全球半导体产业链和科研合作具有重要影响。

法国研究机构TIMA实验室与CEA-Léti共同成立了联合实验室LéTima，并召开了首次指导委员会会议。该合作旨在整合双方在微纳电子和智能系统领域的研究资源，加速技术创新与产业化进程。此举将加强法国在半导体和先进技术研发方面的竞争力。

Stellaria计划在法国CEA卡达拉舍基地建设其基础核设施。该项目涉及新一代核能技术开发，旨在推动小型模块化反应堆（SMR）的研发与应用。此举将强化法国在核能创新领域的领先地位，并为清洁能源转型提供技术支撑。

法国初创公司Moon Photonics（CEA-Leti于2026年1月成立的衍生公司）宣布开发出具有创纪录灵敏度的光子探测器。该公司计划在2027年推出首代用于红外探测的组件，并目标在2030年将第二代产品应用于量子计算等领域。其核心技术采用碲镉汞半导体材料，使探测器灵敏度比现有方案提升高达20

欧洲专利局发布2025年技术仪表板报告，法国原子能与替代能源委员会（CEA）再次跻身欧洲前五十大专利申请机构。同时，CEA在格勒诺布尔启动了欧洲微电子试验线FAMES，旨在加速芯片创新并提升欧洲技术主权。此外，法国政府与EDF、法马通、欧安诺等企业共同推进核电复兴计划，确认在彭利新建两座EPR2反应

欧洲导弹系统公司MBDA为保持其在复杂导弹系统领域的欧洲领先地位，与法国原子能委员会技术研究部建立长期研发合作。双方通过2017年签署的多年期协议，在材料、光电子、人工智能等领域开展联合研究，重点开发可规避美国武器贸易管制的高分辨率光电系统。该合作获得法国及欧盟支持，部分技术同时探索民用转化可能。

法国CEA-Leti研究所启用了一座2000平方米的洁净室，专门用于300毫米芯片制造，该设施是其FAMES试点产线的一部分，旨在推动欧洲半导体价值链发展。该项目获得8.3亿欧元资金支持，涉及11个欧洲合作伙伴，重点研发FD-SOI、3D集成等先进微电子技术。新设施采用可持续设计，预计每年可减少65

Lam Research与法国CEA-Leti研究所达成多年合作协议，共同研发用于下一代特种技术器件的新型复合半导体材料与工艺。合作将聚焦微机电系统、3D传感、射频滤波及光子学等领域，旨在加速开发更节能的高性能器件解决方案。Lam将借助其脉冲激光沉积等技术，结合CEA-Leti的材料分析能力，共同攻

CEA-Leti将于2026年4月21日至22日在日本东京举办第17届MEMS工程师论坛（MEF2026），聚焦MEMS技术发展路线图，特别是麦克风MEMS和光机械传感等下一代设备。此外，CEA-Leti还将在同年6月于法国格勒诺布尔、美国洛杉矶等地举办多场半导体行业峰会，展示其在硅光子学、先进异构