法国CEA-Leti和CEA-List研究所与台湾力积电（PSMC）宣布战略合作，融合RISC-V处理器与硅光子技术，在力积电3D堆叠平台上开发面向下一代AI的高带宽、高能效计算方案。该合作旨在突破铜互连物理极限和功耗瓶颈，建立高性能数据传输与计算架构的新范式。

法国格勒诺布尔当地时间2026年5月22日，18家欧洲科研与技术机构承诺加入跨国倡议RESOLVE（Reinforcing European SOvereignty and Leadership in Value added Electronics products），以应对量子技术与半导体在全球竞

该文章报道了2026年6月8日至9日在法国格勒诺布尔MINATEC举办的干法刻蚀与等离子体加工研讨会，重点围绕半导体、MEMS及新兴应用的干刻蚀、等离子体工艺与相关挑战，并安排了多场主题报告与海报，包括GeTe等离子体刻蚀用于RF开关、基于SOI/SiN的先进光子平台、GeSe-GeTe与GeSe-

法国CEA-Leti宣布将在2026年Hilton Head国际会议上展示结合硅光子与高性能MEMS的新一代光机械传感器，并发表高动态范围GHz光机械谐振器和集成真空等论文，用以推动计时应用和高性能器件革新。该机构还预告将主办“类器官及器官芯片”研讨会，并在LID世界峰会与ECTC上以11篇论文确立

法国CEA-Leti实验室团队结合人工智能推进预测性维护研究，其博士生Guillaume Prevost凭借“知识引导符号回归发现新特征用于滚动轴承退化分析”论文在2025年国际PHM会议上获最佳论文奖。团队成员Leila Merzak与Célestin Ott等正开发基于数字孪生和物理信息AI的损

法国CEA-Leti研究所将在2026年EuroSOI Ulis会议上发表11篇论文，巩固其在全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）等先进硅集成领域的领先研究地位。这些成果涵盖量子计算射频表征、10纳米节点自对准双图案化及应变工程等关键技术，有望推动下一代高性能、低功耗微电子器件的商业化，并促进产学研合作

CEA-Leti将在格勒诺布尔举办专场活动，聚焦MAGIC胰腺胰岛芯片项目及器官芯片技术，由其健康部门副主任介绍从工业需求到最新科研进展。同时，在LID世界峰会上，CEA-Leti凭借11篇论文（涵盖混合键合与低温工艺）确立其在先进硅集成领域的核心地位，并发布面向下一代显示和数据通信的高性能micr

CEA-Leti发布2026年科学报告，重点展示了在FD-SOI、嵌入式存储器和先进3D集成等半导体技术领域的突破，并通过France 2030与欧洲《芯片法案》强化其全球创新核心地位，加速向工业的技术转移以增强主权。科学主任Thomas Ernst强调与欧洲顶尖研发机构的协作成效，机构同时入选科睿

法国CEA-Leti研究所将在于2026年5月26日至29日在美国奥兰多举行的ECTC大会上展示混合键合、扇出型晶圆级封装等下一代芯片集成技术，并发布多项与意法半导体等合作的最新科研成果。该机构同时预告将在法国举办的LID世界峰会和台湾举行的半导体创新论坛上介绍高性能微LED、先进MEMS传感及AI

CEA-Leti将在2026年ECTC会议上展示七项先进异构集成技术，包括首次实现1微米间距晶片对晶圆混合键合及低至100°C的超低温键合。研究涉及意法半导体等合作方，重点突破互连缩放极限，推动高性能3D封装。这些成果将赋能5G/6G和汽车雷达等毫米波应用，加速下一代芯片集成发展。

法国CEA-Leti开发出基于进动电子衍射的纳米级应变映射技术，可量化晶格变形，精度达0.02%、空间分辨率1纳米，助力制造更快更节能的处理器。该方法由Nicolas Bernier等团队协作实现，已从实验方案转化为常规表征服务，显著提升了样品处理通量和响应速度，巩固了CEA-Leti在纳米计量领域

CEA-Leti推出基于透射电子显微镜（TEM）和旋进电子衍射（PED）的应变映射服务，空间分辨率达1纳米、精度约0.02%，跻身全球纳米计量领先水平。该技术已装备三台TEM，通过简化流程实现了更高通量，可快速获取器件材料变形的精确应变图谱。团队核心成员Nicolas强调基础研究与应用工程的结合，使

Aledia，一家源自CEA-Leti的初创公司，发布了其首款产品FlexiNova，该平台可大规模生产其专有的3D氮化镓纳米线microLED，为屏幕制造商提供更高亮度、能效和集成灵活性的新显示技术。该成果源自与CEA-Leti逾十年的联合研发，其硅基工艺大幅降低成本，并计划于2026年1月投入商

CEA-Leti研究员Guillaume Prevost在IEEE预测与健康管理国际会议上凭借知识引导的符号回归方法获最佳论文奖，该方法用于滚动轴承退化分析。该多学科团队同时致力于开发融入物理知识的AI数字孪生，应用于机械结构（如膝关节假体）的健康状态估计与损伤预测。这些技术融合提升了预测性维护的故

法国CEA-Leti研究所的研究团队在SPIE Photonics West展会上展示了量子级联激光器（QCL）与硅基光子平台集成的重要进展。通过将III-V族材料异质集成到硅晶圆上，团队开发出可扩展的中红外微型激光传感器平台，有望用于非侵入式生物标记监测等医疗领域。该项目由Badhise Ben

法国核能初创公司Stellaria计划在法国原子能与替代能源委员会（CEA）位于伊泽尔省的一处场址安装其反应堆。此举将利用CEA的现有设施加速技术验证，推动其先进反应堆的商业化进程。

CEA-Leti将于2026年6月23-25日在格勒诺布尔举办第28届LID世界峰会，主题聚焦“从实验室到市场”，以可持续芯片驱动下一代AI工厂，吸引超1250名国际行业领袖参会。会议涵盖数据与云融合、半导体计算、网络安全、深科技投资等11场技术论坛，旨在加速欧洲技术主权和芯片竞争力，并展示FAME

CEA-Leti发布2026年科学报告，展示其在半导体领域的重大进展，并强调通过法国2030计划和欧盟芯片法案等合作项目（如PEPR、FAMES试点线）加速先进技术向产业转移。该机构与国际及欧洲领先研究组织加强协作，在FD-SOI、嵌入式内存和3D集成等关键技术取得突破，推动半导体创新从追求密度转向

法国CEA-Leti与克莱蒙费朗的LMV/OPGC合作开发出微型多气体传感器MUGS，采用光声光谱和量子级联激光器，可同时检测CO₂、SO₂、H₂S等多种火山和温室气体。该传感器在瓜德罗普岛火山成功完成极端环境测试，性能优于传统设备，未来将用于无人机和固定站点，提升火山活动监测与预测能力。

Diamfab 与格勒诺布尔大学、法国国家科研中心及格勒诺布尔国立理工学院共同创建联合实验室 DiamLab，并与意法半导体及法国原子能委员会组成联盟，以加速其用于功率电子的合成钻石技术研发。此举将强化 Diamfab 在宽禁带半导体领域的创新地位，推动钻石基电子元件的产业化进程。